หลักการพื้นฐาน เทียบเบอร์ IGBT
ไอจีบีที ( IGBT) นิยมใช้กับวงจรที่มีกระแสและแรงดันสูง ความถี่ในการสวิตชิ่งสูง( แต่ความถี่ยังไม่สูงเท่ากับมอสเฟต) การทำงานของ IGBT คล้ายกับมอสเฟตจะเห็นว่ามีชื่อพารามิเตอร์ทางไฟฟ้าเหมือนกัน แต่ถ้าพิจารณาระดับโครงสร้างข้างในจะแตกต่างกัน การเทียบสเปคไอจีบีทีต้องเทียบค่ากระแส แรงดันและพารามิเตอร์ที่เกียวกับระยะเวลาการสวิตชิ่ง : Turn on time , turn off time , ค่าความจุอินพุตและเอาต์พุต การสูญเสียของ IGBT มีการสูญเสียจากการสวิตชิ่ง ( Switching loss) และการสูญเสียขณะนำกระแส ( conduction loss) ค่า V(CE_sat) ยิ่งน้อยยิ่งดีเพราะจะทำให้ค่าการสูญเสียขณะนำกระแสน้อยตามไปด้วย
ค่าพารามิเตอร์ทางไฟฟ้าของ IGBT มีจำนวนมากแต่ให้ไล่เช็คค่าที่สำคัญอันดับต้นๆให้ผ่านก่อน ค่าระยะเวลา ON และ OFF ค่าความจุและค่าประจุ Qg มีผลต่อความเร็วในการสวิตชิ่งและการสูญเสียจากการสวิต ( switching loss)
V(CES) collector -emitter voltage , maximum C-E voltage with gate-emitter shorted
VCE_sat) collector-emitter saturation voltage
I(C) collector current , maximum DC collector current
P(D) device dissipation @ T(c)= 25°C
V(GES) Gate to emitter voltage
V(GE_th) Gate to emitter threshold voltage
T(on) Turn-on time
T(r) Rise time
T(off) Turn-off time
T(f) Fall time
Cies Input capacitance
Coes Output capacitance
Gg Gate charge capacity , gate charge to turn on IGBT
อ่านเพิ่ม หัวข้ออื่นๆ
- เทียบเบอร์ไดโอด
- เทียบเบอร์ไตรแอค
- เทียบเบอร์ทรานซิสเตอร์
- เทียบเบอร์ SCR หลักการพื้นฐาน
- เทียบสเปคคาปาซิเตอร์ C
- เทียบสเปคตัวต้านทาน R
- เทียบสเปคไอจีบีทีเพื่อเที
ยบเบอร์ IGBT - ออปโต้คัปเปลอร์ Optocoupler หลักการเทียบสเปค
- วิธีการใช้หนังสือ ECG หรือวิธีเปิดหนังสือ ECG
- หลักการเทียบเบอร์ ตามแนวหนังสือ ECG
