การเลือกใช้ตัวต้านทานและการเทียบตัวต้านทาน ตัวต้านทานใช้แทนได้ไหมและถามค่าอาร์ที่จะใช้แทนสามารถหาตำตอบจากบทความ

การเลือกใช้ตัวต้านทานและการเทียบสเปคตัวต้านทานใช้แทน

สอบถามเรื่องตัวต้านทานใช้แทนได้ไหม และถามค่าอาร์  ตัวต้านทานเป็นอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์พื้นฐานที่นิยมเทียบสเปคเนื่องจากสามารถเทียบสเปคได้ง่ายและใช้งานแทนได้จริง มีความเสี่ยงน้อยมากที่จะใช้แทนไม่ได้  ข้อมูลที่จำเป็นต้องทราบคือข้อมูลของตัวต้านทานตัวเก่า  ถ้าตัวต้านทานไหม้จำเป็นต้องหาข้อมูลค่าของ  R  จาก ข้อความ ตัวเลข ตัวอักษร  จากคู่มือ หรือวิธีการอื่นๆที่นอกตำรา  เช่น ถ้ามันขาดก็ลองต่อจุดที่ขาดก่อน จากนั้นเอามัลติมิเตอร์วัดดูค่าโอห์ม  จะช่วยให้ประมาณค่า คาดเดาค่าใกล้เคียงที่ควรจะเป็นจากหลักฐานที่มีอยู่


ตัวต้านทาน เทียบสเปค  ใช้แทน  ຕົວຕ້ານທານ

สเปคที่ต้องคำนึงถึงในการเทียบสเปคตัวต้านทานมีดังนี้

1).  ค่าความต้านทานกี่โอห์ม ?   กี่ K  Ohm  ,  Mega Ohm    -----  ต้องค่าเท่าเดิม
2).  % ความคลาดเคลื่อน   ----------ต้องเท่าเดิมหรือ  %  น้อยกว่าได้
3).  กำลังไฟฟ้าหรือวัตต์ของตัวต้านทาน  ------ ต้องเท่าเดิมหรือมากกว่าได้
4).  ชนิดของวัสดุ เช่น  ตัวต้านทานเมตัลฟิล์ม  ตัวต้านทานคาร์บอนฟิล์ม  ตัวต้านทานไวร์วาวด์  ตัวต้านทานทนความร้อน  ตัวต้านทานกระเบื้อง   เป็นต้น ควรใช้  R ชนิดเดิม บางวงจรใช้ R ต่างชนิดแทนได้
5).  ประเภทของวงจรและการใช้งาน  จะเป็นตัวกำหนดหรือเลือกชนิดตัวต้านทาน
7).  อุณหภูมิแวดล้อมในวงจร จะมีผลต่อความทนและอายุการใช้งานของ R  ข้อนี้จะขึ้นอยู่กับชนิดวัสดุของ R
6).  ขนาดและรูปร่างของตัวต้านทาน  ให้ใช้ขนาดเดิมจะดีที่สุด  ขนาด R  ใส่ได้พอดีไหม  ?  บางกรณีที่จำเป็นจริงๆอาจมีการดัดแปลงใส่แทน


อ่านหัวข้ออื่นๆที่น่าสนใจต่อ   ดูหัวข้อด้านล่างสุด   >


การวัด  SCR  มอดูล  หรือ  ไทริสเตอร์  มอดูล  









เทียบสเปคไอจีบีทีเพื่อเทียบเบอร์ IGBT

หลักการพื้นฐาน  เทียบเบอร์    IGBT

ไอจีบีที ( IGBT) นิยมใช้กับวงจรที่มีกระแสและแรงดันสูง ความถี่ในการสวิตชิ่งสูง( แต่ความถี่ยังไม่สูงเท่ากับมอสเฟต) การทำงานของ IGBT คล้ายกับมอสเฟตจะเห็นว่ามีชื่อพารามิเตอร์ทางไฟฟ้าเหมือนกัน แต่ถ้าพิจารณาระดับโครงสร้างข้างในจะแตกต่างกัน  การเทียบสเปคไอจีบีทีต้องเทียบค่ากระแส แรงดันและพารามิเตอร์ที่เกียวกับระยะเวลาการสวิตชิ่ง : Turn on time  , turn off time ,  ค่าความจุอินพุตและเอาต์พุต  การสูญเสียของ IGBT มีการสูญเสียจากการสวิตชิ่ง ( Switching loss)  และการสูญเสียขณะนำกระแส ( conduction loss)    ค่า V(CE_sat) ยิ่งน้อยยิ่งดีเพราะจะทำให้ค่าการสูญเสียขณะนำกระแสน้อยตามไปด้วย


ทรานซิสเตอร์   ທຣານສິດເຕີ

ค่าพารามิเตอร์ทางไฟฟ้าของ IGBT มีจำนวนมากแต่ให้ไล่เช็คค่าที่สำคัญอันดับต้นๆให้ผ่านก่อน  ค่าระยะเวลา ON และ OFF  ค่าความจุและค่าประจุ Qg  มีผลต่อความเร็วในการสวิตชิ่งและการสูญเสียจากการสวิต ( switching loss)





ค่าพารามิเตอร์ทางไฟฟ้าของ IGBT

V(CES)      collector -emitter voltage , maximum C-E voltage with gate-emitter shorted

VCE_sat)   collector-emitter saturation voltage

I(C)            collector current ,  maximum  DC collector current

P(D)           device dissipation @ T(c)= 25°C

V(GES)      Gate to emitter voltage

V(GE_th)    Gate to emitter  threshold  voltage

T(on)          Turn-on time

T(r)             Rise time

T(off)          Turn-off time

T(f)             Fall time

Cies            Input capacitance

Coes           Output capacitance

Gg              Gate  charge capacity ,  gate charge to turn on  IGBT



อ่านเพิ่ม    หัวข้ออื่นๆ